خانه / الکترونیک / دارلینگتون های 2N3055

دارلینگتون های 2N3055

دارلینگتون های 2N3055

دارلینگتون های 2N3055

مهمترین ویژگی این مدار: ظرفیت بسیار بالای آن است. ترکیبات ترانزیستوری در اینجا می تواند برای رگولاتور (تنظیم کننده) های منبع تغذیه یا تقویت کننده های نهایی که به ولتاژ کلکتور بالا، جریان بالا، ظرفیت توان تلفاتی بالا و مشخصات تقویت کنندگی جریان بالا نیاز دارند، استفاده شود. هر دو مدار ازیک ترانزیستور 2N3055 به ترتیب برای حالت NPN و PNP استفاده می کنند. اگرچه استفاده از یک ترانزیستور NPN برای ساختار PNP ممکن است در نگاه اول به نظر شما عجیب و نادرست باشد. (به دلیل ساختارویژه آن)، مدار دوم به عنوان یک ترانزیستور PNP عمل می کند.

کل مدار را به عنوان یک ترانزیستور با ظرفیت بالا در نظر بگیرید. در حقیقت 3 نقطه لحیم که با نامهای E، B و C نامگذاری شده اند داریم. آنها مربوط به پایه های عادی یک ترانزیستور واحد هستند.

بهره این مدارات (AC و DC) تقریبا 1/5 میلیون است. بیشترین تلفات توان در دمای 25 درجه، 115 وات است. حداکثر ولتاژ کلکتور 60 ولت و جریان کلکتور 15 آمپر است. افت ولتاژ در ترکیب NPN تقریبا 2 ولت و افت ولتاژ در ترکیب PNP تقریبا 3 ولت است.

نقشه مدار چاپی برای ساختار NPN

نقشه مدار چاپی برای ساختار NPN

نحوه قرارگیری قطعات برای ساختار NPN

نحوه قرارگیری قطعات برای ساختار NPN

نقشه مدار چاپی برای ساختار PNP 

نقشه مدار چاپی برای ساختار PNP

نحوه قرارگیری قطعات برای ساختار PNP

نحوه قرارگیری قطعات برای ساختار PNP

 موسسه خیریه حمایت از کودکان مبتلا به سرطان

 نویسنده : آرزو رضوانی

 تاریخ انتشار :

پاسخ دهید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *




مطلب پیشنهادی

test-crysta1l

چگونه قدرت یک فرستنده را تنظیم و مشخص کنیم؟

چگونه قدرت یک فرستنده را تنظیم و مشخص کنیم؟ برای اندازه گیری قدرت خروجی یک …