زنگ درب حافظه دار و قابل کنترل از دو نقطه

این مدار نشان می دهد که کدامیک از زنگ های درب جلویی یا پشتی فشار داده شده است. مدار همچنین نشانگر این مطلب است که با نبودن افراد خانه، زنگی فشرده شده است یا خیر.

در مدار از یک تقویت کننده مکمل با کوپلاژ مستقیم و دو قفل واکنشی (regenerative latch) استفاده شده است.

نحوه عملکرد مدار

هنگامی که کلید S1 قطع است مدار به عنوان یک زنگ با قابلیت کنترل از دو نقطه عمل می کند. در این حالت نوع صدای زنگ تعیین کننده درب است. هنگامی که کلید S2 فشار داده می شود، دیود D1 هدایت کرده و تقویت کننده مکمل شامل ترانزیستورهای T5 و T6 از طریق فیدبک مثبت C1 شروع به نوسان می نماید که در نتیجه آهنگی با فرکانس پایین تولید شده و نشان می دهد که زنگ درب جلویی به صدا در آمده است. به همین ترتیب اگر کلید S3 فشار داده شود، دیود D2 هدایت کرده آهنگی با فرکانس بالا تولید خواهد شد که نشان می دهد زنگ درب پشتی به صدا در آمده است.

همچنین به هنگام خالی بودن منزل، پس از بازگشت، مدار نشان می دهد که آیا زنگ درب جلویی یا پشتی به صدا درآمده است یا خیر. بدین منظور برای حافظه دار کردن زنگ لازم است کلید S1 وصل گردد. در این حالت با فشار هریک از زنگ ها، LED نظیر آن (سبز، یا قرمز) روشن خواهد شد. LED مورد نظر روشن خواهد ماند تا اینکه با قطع کلید S1 مدار reset شود.

هنگامی که کلید S1 وصل و کلید S2 فشار داده می شود، دیود D3 از طریق مقاومت R5 هدایت نموده یک پالس مثبت به بیس ترانزیستور T2 اعمال می شود. در نتیجه T2 و T4 کاملا هادی شده (LED (D6 قرمز رنگ روشن می شود و در همین حالت باقی می ماند تا اینکه کلید S1 قطع گردد.

به همین ترتیب، هنگامی که کلید S3 فشار داده می شود و کلید S1 وصل است، دیود D4 از طریق مقاومت R6 هدایت نموده یک پالس مثبت به بیس ترانزیستور T1 اعمال می شود. در نتیجه T1 و T3 کاملا به حالت اشباع رفته و (LED (D5 سبز رنگ روشن می شود. D5 روشن باقی خواهد ماند، تا S1 قطع گردد. چنانچه پس از بازگشت به منزل هر دو LED روشن باشد، می توان فهمید که هر دو زنگ فشار داده شده است. دیودهای D1 و D2 برای جدا کردن کلید درب جلویی (S2) از کلید درب پشتی (S3) به کار رفته است. به همین ترتیب دیودهای D3 و D4 برای متمایز کردن آهنگ زنگ دو درب مورد استفاده قرار گرفته اند.

خازن های C2 و C3 از تحریک ناخواسته دو قفل واکنشی که ممکن است در اثر ولتاژ ضربه ناشی از وصل کلید S1 به دلیل ضریب تقویت بالای ترانزیستورها به وجود آید، جلوگیری می کنند.

شکل 1 نقشه شماتیک زنگ درب حافظه دار و قابل کنترل از دو نقطه